[实用新型]晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极有效
申请号: | 201320593624.X | 申请日: | 2013-09-25 |
公开(公告)号: | CN203521433U | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 陈奕峰;皮埃尔·J·威灵顿;冯志强;沈辉;皮亚同·皮·阿特玛特 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人: | 孙彬 |
地址: | 213022 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,它包括与局域背表面场连接的局域电极以及在与硅片衬底的接触表面上覆盖有背面钝化膜的背面电极,在局域电极与背面电极之间设有至少一个梁桥电极,梁桥电极与硅片衬底的接触表面上也覆盖有背面钝化膜,局域电极与背面电极通过梁桥电极连接,并且在局域电极与背面电极之间除梁桥电极的连接区域外也设置有背面钝化膜。它能够抑制局域背表面场空洞的形成,增加局域背表面场的厚度,降低少数载流子穿过局域背表面场来到接触区被复合的电阻损失,提高背钝化电池的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 晶体 太阳电池 背面 梁桥式 接触 电极 | ||
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池的背面梁桥式接触电极,包括与局域背表面场(5)连接的局域电极(3)以及在与硅片衬底(6)的接触表面上覆盖有背面钝化膜(2)的背面电极(1),其特征在于:在局域电极(3)与背面电极(1)之间设有至少一个梁桥电极(4),梁桥电极(4)与硅片衬底(6)的接触表面上也覆盖有背面钝化膜(2),局域电极(3)与背面电极(1)通过梁桥电极(4)连接,并且在局域电极(3)与背面电极(1)之间除梁桥电极(4)的连接区域外也设置有背面钝化膜(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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