[实用新型]在盾构刀具上生成碳氮化钛薄膜的装置有效
申请号: | 201320597102.7 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN203530426U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 韦学运;杨思泽 | 申请(专利权)人: | 韦学运 |
主分类号: | C23C16/36 | 分类号: | C23C16/36;C23C16/515 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 100088 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种在盾构刀具上生成碳氮化钛薄膜的装置,主要包括真空镀膜系统、脉冲电路系统和等离子体生成系统;真空镀膜系统包括真空镀膜室和位于真空镀膜室内放置盾构刀具的旋转台,真空镀膜室设有排气口;等离子体生成系统包括筒状石墨外电极、位于石墨外电极内的金属钛内电极以及充电装置,充电装置与石墨外电极和钛内电极电连接,石墨外电极和钛内电极一端伸进真空镀膜室内;脉冲电路系统与钛内电极电连接,有一充氮气口与真空镀膜室连通。该装置可以在盾构刀具上生成碳氮化钛薄膜,为刀具提供更好的性能,并增强刀具抗粘滞磨损能力以及提高刀具的强度、硬度、耐磨性,最终增加使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 盾构 刀具 生成 氮化 薄膜 装置 | ||
【主权项】:
一种在盾构刀具上生成碳氮化钛薄膜的装置,其特征在于:主要包括真空镀膜系统、脉冲电路系统和等离子体生成系统;所述真空镀膜系统包括真空镀膜室和位于真空镀膜室内放置盾构刀具的旋转台,真空镀膜室设有排气口;所述等离子体生成系统包括筒状石墨外电极、位于石墨外电极内的金属钛内电极以及充电装置,所述充电装置与石墨外电极和钛内电极电连接,所述石墨外电极和钛内电极一端伸进所述真空镀膜室内;所述脉冲电路系统与所述钛内电极电连接,有一充氮气口与所述真空镀膜室连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的