[实用新型]遗址区种植层结构有效

专利信息
申请号: 201320605377.0 申请日: 2013-09-27
公开(公告)号: CN203633195U 公开(公告)日: 2014-06-11
发明(设计)人: 陈曦;张明明 申请(专利权)人: 中国文化遗产研究院
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01B79/02
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 刘冬梅
地址: 100029 北京市朝阳区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了遗址区种植层结构,随着大遗址展示需求的不断增长,植物标识成为遗址区遗址展示的一种常用方式,用于标识的植物一般选用浅根性树种或用盆栽方式来防止植物根系对遗址的破坏,但是植物的根系是不断生长的,特别对于埋深较浅的遗址,即使浅根性植物的根系也会对遗址本体造成破坏;而盆栽植物的方式通常会产生植物窝根现象,不利于植物的生长;同时,因植物在生长时分泌酸性物质,对遗址的破坏不仅仅是物理方面的破坏,也存在化学方面的破坏。一种适于遗址区种植层结构亟待开发。本实用新型通过设置对植物的根系进行生物阻拦和机械阻拦的结构,解决遗址区植物种植的技术问题。
搜索关键词: 遗址 种植 结构
【主权项】:
遗址区种植层结构,其特征在于,所述遗址区种植层结构包括在遗址本体(1)上依次设置的土壤垫层(2)、高密度聚乙烯防渗膜层(3)、碱式碳酸铜层(4)和植物根系生长层(5), 其中,在碱式碳酸铜层上用土壤铺设植物根系生长层,植物根系扎根于植物根系生长层中, 在植物根系生长层上或者在植物根系生长层中设置滴灌系统(6),滴灌系统管道上的灌罐口以在水平平面内的设定距离设置于植物根系侧方或周围。 
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