[实用新型]烧结炉输出口改进结构有效
| 申请号： | 201320639371.5 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN203466209U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 竺峰;赵国成 | 申请（专利权）人： | 宁波富星太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 景丰强 |
| 地址： | 315032 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种烧结炉，尤其涉及对烧结炉输出口的改进，属于太阳能电池硅片生产领域。本实用新型公开了一种烧结炉输出口改进结构，位于炉体的输出口处，所述炉体内设有用于传送硅片的输送轨道，其特征在于：包括电池片传感器和与该电池片传感器相连的计数器，所述计数器具有一显示屏，所述的电池片传感器位于炉体的输出口的上方。本烧结炉输出口改进结构还包括一能及时对烧结后的硅片降温的冷却部件。与现有技术相比，本实用新型公开的烧结炉输出口改进结构同时实现了对硅片的计数和冷却，更具有实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结炉 输出 改进 结构 | ||
【主权项】：
一种烧结炉输出口改进结构，位于炉体(1)的输出口处，所述炉体(1)内设有用于传送硅片的输送轨道(11)，其特征在于：包括电池片传感器(4)和与该电池片传感器(4)相连的计数器(5)，所述计数器(5)具有一显示屏(51)，所述的电池片传感器(4)位于所述炉体(1)的输出口的上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
