[实用新型]一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池有效
| 申请号： | 201320643307.4 | 申请日： | 2013-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN203481248U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 许佳平;陈康平;金浩;蒋方丹 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/042 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 实用新型公开了一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层、N型层和P型基底，所述SiN层上设有主栅线和细栅线，将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区、细栅线中间区和细栅线未端区。本实用新型能保持或少量增加浆料的耗量，新型细栅线结构有助于降低串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 新型 细栅线 结构 晶体 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种具有新型细栅线结构的晶体硅太阳电池，包括SiN层（1）、N型层（2）和P型基底（3），所述SiN层（1）上设有主栅线（4）和细栅线，其特征在于：将所述细栅线设置为三个区，分别为细栅线主栅附近区（5）、细栅线中间区（6）和细栅线未端区（7）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
