[实用新型]一种新型白光LED结构有效
| 申请号： | 201320660066.4 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN203607399U | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 叶国光;郝锐;罗长得 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的缓冲层、DBR层、n型半导体材料层、发光层、电子阻挡层、p型半导体材料层和透明电极层；所述红黄光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的n型半导体材料层、发光层、p型半导体材料层和透明电极层，透明电极层上设有反射层，同时还介绍了该芯片结构的制作方法。本实用新型通过将蓝光芯片发出的蓝光和红黄光芯片发出的红黄光进行光谱直接叠加而发出白光，与现有的白光LED芯片相比，无需荧光粉，发光效果好，提高LED能量转换效率且延长了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 白光 led 结构 | ||
【主权项】：
一种新型白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红黄光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的缓冲层、DBR层、n型半导体材料层、发光层、电子阻挡层、p型半导体材料层和透明电极层；所述红黄光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的n型半导体材料层、发光层、p型半导体材料层和透明电极层，透明电极层上设有反射层。
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