[实用新型]LED芯片有效
申请号: | 201320667514.3 | 申请日: | 2013-10-28 |
公开(公告)号: | CN203536474U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 吕华丽 | 申请(专利权)人: | 杭州华普永明光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 311305 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种LED芯片,包括:一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层;一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层,设置在一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面;一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层,设置在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面;反向穿隧层,设置在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面;一层或者多层反射金属层,设置在上述反向穿隧层的上表面;n型电极,设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层的下表面;反射金属层键合在金属基板上,其中,金属基板大于外延片,以便于封装焊接,并且键合之前还包括将上述晶元划裂成的多个单颗LED芯片,金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4-8倍。 | ||
搜索关键词: | led 芯片 | ||
【主权项】:
一种LED芯片,其特征在于,包括:一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层;一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层,设置在所述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面;一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层,设置在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面;反向穿隧层,设置在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面;一层或者多层反射金属层,设置在上述反向穿隧层的上表面;n型电极,设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层的下表面;所述反射金属层键合在金属基板上,其中,金属基板大于外延片,以便于封装焊接,并且键合之前还包括将上述晶元划裂成的多个单颗LED芯片,金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4‑8倍。
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