[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201320667514.3 | 申请日： | 2013-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN203536474U | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吕华丽 | 申请（专利权）人： | 杭州华普永明光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/46;H01L33/62 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 311305 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种LED芯片，包括：一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层，设置在一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层，设置在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面；反向穿隧层，设置在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；一层或者多层反射金属层，设置在上述反向穿隧层的上表面；n型电极，设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层的下表面；反射金属层键合在金属基板上，其中，金属基板大于外延片，以便于封装焊接，并且键合之前还包括将上述晶元划裂成的多个单颗LED芯片，金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4-8倍。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层；一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层，设置在所述一层或者多层n型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层，设置在上述一层或者多层Ⅲ族氮化物活化层的上表面；反向穿隧层，设置在上述一层或者多层p型Ⅲ族氮化物半导体层的上表面；一层或者多层反射金属层，设置在上述反向穿隧层的上表面；n型电极，设置在n型Ⅲ族氮化物半导体层的下表面；所述反射金属层键合在金属基板上，其中，金属基板大于外延片，以便于封装焊接，并且键合之前还包括将上述晶元划裂成的多个单颗LED芯片,金属基板的面积大于外延片的面积小于外延片面积的4‑8倍。
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