[实用新型]超结器件和包括所述超结器件的半导体结构有效
| 申请号： | 201320675262.9 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203659877U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型涉及超结器件和包括所述超结器件的半导体结构。所述超结器件包括：第一导电类型的漏区；第二导电类型的体区；位于所述漏区和所述体区之间的漂移区，所述漂移区由第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区构成，所述第一区和第二区沿垂直于从所述体区到所述漏区的方向的方向交替排列；多个沟槽栅结构，每个沟槽栅结构包括从所述体区的上表面延伸进入所述漂移区中的沟槽和在所述沟槽中的被填充所述沟槽的第一电介质层包围的栅电极；和嵌入所述体区中的第一导电类型的源区。沿着所述第一电介质层与所述体区之间的总界面长度的至少10％不存在源区。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 包括 述超结 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种超结器件，包括：第一导电类型的漏区；第二导电类型的体区；位于所述漏区和所述体区之间的漂移区，所述漂移区由第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区构成，所述第一区和第二区沿垂直于从所述体区到所述漏区的方向的方向交替排列；多个沟槽栅结构，每个沟槽栅结构包括从所述体区的上表面延伸进入所述漂移区中的沟槽和在所述沟槽中的被填充所述沟槽的第一电介质层包围的栅电极；和嵌入所述体区中的第一导电类型的源区，其特征在于，沿着所述第一电介质层与所述体区之间的总界面长度的至少10％不存在源区。
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