[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320675306.8 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203659879U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | A.维尔梅罗特;W.凯因德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 半导体器件包括：具有第一和第二表面的半导体本体；在第一表面处位于半导体本体中的第一导电类型的源区；在第二表面处位于半导体本体中的第二导电类型的漏区；在源区和漏区之间的第二导电类型的体区；第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，第一区和第二区均在体区和漏区之间的漂移区中，其中第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区在半导体本体中交替排列，并至少第二区接触体区；第一导电类型的半导体基础层，半导体基础层的至少一部分在由第一区、第二区以及漏区包围的漂移区中。第一导电类型的半导体基础层的所述部分的厚度至少大于第一导电类型的第一区的宽度。该半导体器件还包括在第一表面处的将源区电连接到外部的接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有第一和第二表面的半导体本体；在第一表面处位于所述半导体本体中的第一导电类型的源区；在第二表面处位于所述半导体本体中的第一导电类型的漏区；位于所述源区和所述漏区之间的第二导电类型的体区；第一导电类型的第一区和第二导电类型的第二区，所述第一区和第二区均位于所述体区和所述漏区之间的漂移区中，其中所述第一导电类型的第一区和所述第二导电类型的第二区在所述半导体本体中交替排列，并且至少所述第二区接触所述体区；第一导电类型的半导体基础层，所述半导体基础层的至少一部分位于由所述第一区、所述第二区以及所述漏区包围的所述漂移区中，其特征在于，所述第一导电类型的半导体基础层的所述部分的厚度至少大于所述第一导电类型的第一区的宽度，以及所述半导体器件还包括在所述第一表面处的将所述源区电连接到外部的接触插塞。
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