[实用新型]非晶硅薄膜太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201320681110.X 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN203553184U 公开(公告)日: 2014-04-16
发明(设计)人: 胡居涛;庄春泉;王勇;邱骏;符政宽 申请(专利权)人: 江苏武进汉能光伏有限公司
主分类号: H01L31/0445 分类号: H01L31/0445;H01L31/076;H01L31/0352
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 徐琳淞
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种非晶硅薄膜太阳能电池,太阳能电池的I层光吸收层所用薄膜材料为采用梯度氢稀释方法制备而得的初晶态非晶硅I-a-Si:H薄膜材料;所述梯度氢稀释方法将氢稀释浓度通过改变H2与SiH4的流量来实现氢稀释浓度由高到低变化。本实用新型使用梯度氢稀释方法制备光吸收层,开始采用高氢稀释度,使薄膜很快进入初晶态,随着薄膜的生长,降低氢稀释度,避免了在薄膜生长过程中,固定高氢稀释度使薄膜微晶化的问题,从而使薄膜一直处在初晶态的状态,极大的改善了薄膜的纵向均匀性;此种均匀性良好的光吸收层用于电池可有效提升电池的光电转换效率。
搜索关键词: 非晶硅 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种非晶硅薄膜太阳能电池,包括玻璃基板(1)、电池前电极(2)、硅薄膜太阳能电池(3)和背电极(4);其特征在于:所述硅薄膜太阳能电池(3)为单结硅薄膜太阳能电池或多结叠层硅薄膜太阳能电池,每结硅薄膜太阳能电池包括依次沉积的P层(31)、I层(32)和N层(33);所述单结硅薄膜太阳能电池的I层和多结叠层硅薄膜太阳能电池的顶电池的I层采用初晶态非晶硅I‑a‑Si:H。
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