[实用新型]一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器有效
| 申请号： | 201320682907.1 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203746837U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 王烈洋;叶振荣;黄小虎;蒋晓华;颜军 | 申请（专利权）人： | 珠海欧比特控制工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容量 16 bit 立体 封装 nand flash 存储器 | ||
【主权项】：
一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。
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