[实用新型]一种碳化硅外延生长装置

摘要

本实用新型提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其反应腔由内至外依次设置石墨支撑层、石墨软毡、石英壁和加热线圈，并排设置的L型补气管平行于圆柱形的轴向通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层且正对石墨支撑层中部，补气管进气端装有气体流量计。该装置中的补气管提供的气体对气流下方起到了补偿作用，使得气流上方和下方的浓度分布趋于一致，使得碳化硅外延层的厚度均匀性得以改进；抑制了气体中的气相成核，可提高生长速率，可快速制备超厚高度均匀碳化硅外延片。且该生长装置结构简单，制作简单，实施简单，制造成本低，容易安装和操作，外延生长速率快，质量优良，适合工业化生产。

主权项

一种碳化硅外延生长装置，所述装置为圆柱形，其反应腔由内至外依次设置石墨支撑层、石墨软毡、石英壁和加热线圈，其特征在于：并排设置的L型补气管平行于所述圆柱形的轴向通过所述石墨软毡并垂直通过所述石墨支撑层且正对石墨支撑层中部。