[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320689210.7 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203659849U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 牛成玉;A·H·西蒙;T·博洛姆 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司;国际商业机器公司;格罗方德公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型的一些实施例涉及一种半导体装置，包括：在电介质层中形成的沟槽；对所述沟槽进行加衬的第一扩散阻挡层；对所述沟槽进行加衬的第一保形金属衬垫层；对所述沟槽进行加衬的第二扩散阻挡层；对所述沟槽进行加衬的金属种子层；以及填充所述沟槽的金属填充。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：在电介质层中形成的沟槽；对所述沟槽进行加衬的第一扩散阻挡层；对所述沟槽进行加衬的第一保形金属衬垫层；对所述沟槽进行加衬的第二扩散阻挡层；对所述沟槽进行加衬的金属种子层；以及填充所述沟槽的金属填充。
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