[实用新型]一种半导体发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201320747631.0 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203589085U | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 金豫浙;冯亚萍;张溢;李佳佳;李志聪;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/14;H01L33/10 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本实用新型在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征在于包括在长方形基板上依次设置的N型半导体层、发光复合层和P型半导体层，在P型半导体层的中部经刻蚀裸露出的N型半导体层；长方形基板上的两侧的P型半导体层上分别设置P焊盘和N焊盘；在P焊盘和N焊盘区域外的P型半导体层上设置电流阻挡层，在电流阻挡层上设置电流扩展层；在与P焊盘和N焊盘对应的P型半导体层上分别设置图形化电流扩展层，在图形化电流扩展层上分别设置电绝缘层；在P焊盘的背部、N焊盘的背部分别设置反射器；在所述电流扩展层上设置至少两组图形化的P扩展电极，各P扩展电极分别与P焊盘电连接；N焊盘电连接有N扩展电极，所述N扩展电极布置且接触在裸露出的N型半导体层上，P扩展电极接触在电流扩展层上。
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