[实用新型]一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器

摘要

一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，至少包含：一浅沟槽隔离区，形成于半导体基底内；一闸极，由多个闸氧化层及多晶硅层依序形成于所述半导体基底表面上方；一介电层，形成于闸极周围；二间隙壁，形成于闸极的侧壁，且该一闸极周围的介电层侧壁只有一间隙壁，用以隔离源极、汲极与闸极所构成的构造，以便于源极重掺杂；一重掺杂源/汲极；一轻掺杂汲极；一金属硅化物；及一内金属介电层，形成于存储器上部表面，在所述闸极与源/汲极扩散区之间蚀刻一共同接触插塞，用以隔离金属层。本实用新型在闸极与源/汲极扩散区之间，蚀刻出共同接触插塞，可有效缩小静态随机存取存储器的尺寸，且可保持元件原有特性，因此可增加集成电路内电子元件密度。

主权项

一种具有共同接触插塞的静态随机存取存储器，其特征在于：至少包含：一浅沟槽隔离区，形成于半导体基底内；一闸极，由多个闸氧化层及多晶硅层依序形成于所述半导体基底表面上方；一介电层，形成于闸极周围，且该上层截面积无氧化层覆盖；二间隙壁，形成于闸极的侧壁，且该一闸极周围的介电层侧壁只有一间隙壁，用以隔离源极、汲极与闸极所构成的构造，以便于源极重掺杂；一重掺杂源/汲极，通过重掺杂离子植入形成于两闸极之间的半导体基底内；一轻掺杂汲极，形成于该闸极的间隙壁底部与该半导体基底之间；一金属硅化物，形成于闸极与源/汲极上方；及一内金属介电层，形成于存储器上部表面，在所述闸极与源/汲极扩散区之间蚀刻一共同接触插塞，用以隔离金属层。