[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201320751957.0 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203721715U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 叶文冠 | 申请（专利权）人： | 叶文冠;绿亚电子（泉州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 傅家强 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件，包括具硅衬底的场效晶体管，硅衬底上形成有栅极、源极、漏极和介电层，介电层中形成有钨插塞，介电层上方形成有若干层内金属介电层，各内金属介电层中形成有铜镶嵌结构，顶层的内金属介电层上方形成有一钝化层，钝化层中形成有开口，开口内形成有阻挡层和铝导电层。通过采用上述技术方案，可以更好地保护铜不被氧化，且使用该TaN/Al镶嵌技术，能将金属蚀刻制程省略，且结构上可以与传统的焊垫的制程相容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括具硅衬底的场效晶体管，硅衬底上形成有栅极、源极、漏极和介电层，介电层中形成有钨插塞，介电层上方形成有若干层内金属介电层，各内金属介电层中形成有铜镶嵌结构，其特征在于：顶层的所述内金属介电层上方形成有一钝化层，钝化层中形成有开口，开口内形成有阻挡层和铝导电层。
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