[实用新型]一种铌酸锂波导芯片

摘要

一种铌酸锂波导芯片，使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而可以减小基于铌酸锂波导芯片的铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压较低。优选使用氢化非晶硅制作铌酸锂波导芯片，其Si：H链的存在能够减小光学损耗。可以通过调节氢化非晶硅的厚度在保证波导尺寸的前提下最大化器件的光电效应。通过控制二氧化硅的厚度以及金属电极的厚度，能够保证较好的射频匹配，而与外界连接的光纤接口通过在穿过波导层的波导线实现，由于上述波导线都在波导层，能够留足封装或测试的金属区域。

主权项

一种铌酸锂波导芯片，其特征在于，包括铌酸锂基底，以及依次设置于所述铌酸锂基底上的非晶硅层、二氧化硅层和金属电极；其中，所述非晶硅层的厚度小于所述铌酸锂基底的厚度，所述铌酸锂基底和所述非晶硅层共同构成波导；所述二氧化硅层上成型有电极填充区域，所述金属电极设置于所述电极填充区域内。