[实用新型]一种半导体元件有效
| 申请号： | 201320756638.9 | 申请日： | 2013-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN203562429U | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 叶文冠 | 申请（专利权）人： | 叶文冠;绿亚电子（泉州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 傅家强 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体元件，包括一硅衬底，硅衬底上形成有栅极、源极和漏极，栅极和硅衬底之间形成有一层绝缘层，栅极由位于绝缘层上的多晶硅层和位于多晶硅层上的硅化钛层组成，硅化钛层上形成有保护层，保护层、硅化钛层、多晶硅层和绝缘层的周围环绕有三层结构层，由里到外依次为氮化硅间隙壁层、亲层和氧化硅间隙壁层，源极和漏极上形成有硅化钛层，硅衬底上形成有内层介电层，内层介电层中形成有接触窗开口。本实用新型通过采用上述技术方案，可使得栅极和接触窗口内的导线可以完全绝缘，不会发生短路现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括一硅衬底，硅衬底上形成有栅极、源极和漏极，栅极和硅衬底之间形成有一层绝缘层，其特征在于：所述栅极由位于绝缘层上的多晶硅层和位于多晶硅层上的硅化钛层组成，硅化钛层上形成有保护层，保护层、硅化钛层、多晶硅层和绝缘层的周围环绕有三层结构层，由里到外依次为氮化硅间隙壁层、亲层和氧化硅间隙壁层，所述源极和所述漏极上形成有硅化钛层，硅衬底上形成有内层介电层，内层介电层中形成有接触窗开口。
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