[实用新型]一种带激光修调工艺的集成芯片结构

摘要

本实用新型涉及一种带激光修调工艺的集成芯片结构。所述集成芯片结构包括衬底以及依次设置在衬底上的阱区、硅化物阻止区、第一金属层、第二金属层和覆盖于整个集成芯片表面的钝化层，另衬底上在阱区和硅化物阻止区的外围设置掺杂区；第一金属层覆盖阱区、硅化物阻止区和掺杂区。其中，第二金属层及第一金属层电性连接，第一金属层上设置熔丝图形，第二金属层上设置熔丝与熔丝及熔丝与集成电路内其它电路的连接线路。本实用新型所述版图结构设计合理，可提高芯片制作的质量与效率，保证芯片的可靠性。

主权项

一种带激光修调工艺的集成芯片结构，包括衬底(1)以及设置在衬底（1）上的第一金属层，其特征在于：所述第一金属层（4）上设置可激光修调的熔丝图形, 第一金属层与衬底（1）之间增设阱区（2），所述阱区（2）嵌入衬底（1）内，该阱区（2）做浮空处理，不接任何电位。