[实用新型]高过载背压式绝压传感器模块有效
| 申请号： | 201320789606.9 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN203616041U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 沈绍群;罗小勇 | 申请（专利权）人： | 新会康宇测控仪器仪表工程有限公司;上海旦宇传感器科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 冯剑明 |
| 地址： | 529100 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙，实现了背压式绝压传感器的高过载性能，结构简单，过载能力大，实施成本低廉，很好的适应了国内外对压敏传感器的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 过载 背压式绝压 传感器 模块 | ||
【主权项】：
高过载背压式绝压传感器模块，包括盖板、硅芯片以及金属基座，硅芯片上设置有硅弹性膜区，盖板与硅芯片的正面密封连接，盖板上设置有背腔形成绝压真空腔，所述硅弹性膜区位于该绝压真空腔中，绝压真空腔内的铝引线与腔外的铝热压脚电连接，硅芯片背面与金属基座连接，金属基座上设置有容置外部被测介质的通道，硅芯片的背面对应通道设置有背腔区，背腔区与所述硅弹性膜区对应，其特征在于：所述背腔内朝向硅芯片的正面延伸出有限位岛，该限位岛与所述硅芯片的硅弹性膜区之间存在限位间隙。
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