[实用新型]静电去除装置有效
| 申请号： | 201320805114.4 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN203631544U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王智东;陆志卿;傅俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种静电去除装置，用于去除半导体晶圆表面的静电，所述静电去除装置包括支撑框架、升降装置以及离子棒，其中，所述升降装置固定在支撑框架上，所述离子棒固定在所述升降装置上。将半导体晶圆放置在静电去除装置内，离子棒能够提供带有一定电荷的离子，所述离子可以与所述半导体晶圆表面的静电进行中和，从而达到去除残留在所述半导体晶圆表面的静电的目的，使所述半导体晶圆在进行WAT测试时能够得到准确的测试结果。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 去除 装置 | ||
【主权项】：
一种静电去除装置，用于去除半导体晶圆表面的静电，其特征在于，所述静电去除装置包括支撑框架、升降装置以及离子棒，其中，所述升降装置固定在支撑框架上，所述离子棒固定在所述升降装置上。
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