[实用新型]一种提高双台面可控硅器件封装结构有效

专利信息
申请号: 201320823443.1 申请日: 2013-12-16
公开(公告)号: CN203659836U 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 邹有彪;张鹏 申请(专利权)人: 启东吉莱电子有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/495
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 卢海洋
地址: 226200 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种提高双台面可控硅器件封装结构,该封装结构自上而下依次包括双台面可控硅芯片、软焊料和线框底座,双台面可控硅芯片下表面设置有可供焊接的金属,线框底座的上表面设置有凸台,软焊料设置在双台面可控硅芯片下表面的可供焊接的金属与凸台之间,凸台用于存储过量的软焊料。本实用新型的有益效果是:在线框底座的上表面设置了凸台,凸台将双台面可控硅芯片与线框底座分开,该间隙可以用于存储过量的软焊料,防止过量的软焊料流入可控硅的台面中引起器件表面击穿,从而可以有效避免双台面可控硅器件反向阻断能力退化,提高双台面可控硅器件封装可靠性。
搜索关键词: 一种 提高 台面 可控硅 器件 封装 结构
【主权项】:
一种提高双台面可控硅器件封装结构,其特征在于:该封装结构自上而下依次包括双台面可控硅芯片、软焊料和线框底座,所述双台面可控硅芯片下表面设置有可供焊接的金属,所述线框底座的上表面设置有凸台,所述软焊料设置在双台面可控硅芯片下表面的可供焊接的金属与凸台之间,所述凸台用于存储过量的软焊料。
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