[实用新型]一种具备电极保护的半导体激光器有效
| 申请号： | 201320830359.2 | 申请日： | 2013-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN203674552U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 渭南高新区晨星专利技术咨询有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/042 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 714000 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于：包括以下层级：衬底；N型GaN层；N型AlGaN包覆层；N型GaN光导层；InGaN有源层；P型GaN光波导；P型AlGaN包覆层；P型GaN层；位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口；位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接；位于所述金属辅助电极层上的TiO2电极保护层，所述TiO2电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。由于加入了绝缘层、辅助电极层和电极保护层，因而能有效的防止P型电极层在工作过程中熔解脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具备 电极 保护 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种具备电极保护的半导体激光器，其特征在于：包括以下层级：衬底；N型GaN层；N型AlGaN包覆层；N型GaN光导层；InGaN有源层；P型GaN光波导；P型AlGaN包覆层；P型GaN层；位于所述P型GaN层上的绝缘层，所述绝缘层有开口；位于所述绝缘层上的金属辅助电极层，所述金属辅助电极层通过所述开口与所述P型GaN层电连接；位于所述金属辅助电极层上的TiO2电极保护层，所述TiO2电极保护层覆盖部分的金属辅助电极层。
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