[实用新型]一种LED封装结构

摘要

本实用新型涉及一种LED封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括硅基本体（110）和LED芯片（200），硅基本体（110）的正面设置不连续的金属反光层（410、420），硅通孔（111）内设置不连续的金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820），LED芯片电极（210）、金属块/柱（321）、金属反光层（410）、金属层Ⅰ（810）实现电气连接，LED芯片电极（220）、金属块/柱（322）、金属反光层（420）、金属层Ⅱ（820）实现电气连接；金属层Ⅲ（830）位于硅基本体（110）的背面的绝缘层Ⅱ（520）的表面且位于金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）之间。本实用新型封装结构依靠圆片级封装技术获得全角度出光的LED封装结构，能够降低热阻、提高可靠性、使出光角度不受限、且能降低设计和制造成本。

主权项

一种LED封装结构，包括背面开设若干个硅通孔（111）的硅基本体（110）和带有LED芯片电极（210、220）的LED芯片（200），所述硅基本体（110）的正面设置绝缘层Ⅰ（510），所述硅通孔（111）的内壁设置绝缘层Ⅱ（520 ），其特征在于：所述绝缘层Ⅰ（510）的表面设置不连续的金属反光层（410、420），所述硅通孔（111）的顶部设置贯穿绝缘层Ⅰ（510）和绝缘层Ⅱ（520 ）的绝缘层开口（501、502），所述绝缘层Ⅱ（520 ）的表面设置不连续的金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820），所述金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）一端分别通过绝缘层开口（501、502）与金属反光层（410、420）连接，另一端沿硅通孔（111）向外延展至硅基本体（110）的背面并向相反方向延展，所述LED芯片（200）通过金属块/柱（321、322）倒装至金属反光层（410、420），所述LED芯片电极（210）、金属块/柱（321）、金属反光层（410）、金属层Ⅰ（810）实现电气连接，所述LED芯片电极（220）、金属块/柱（322）、金属反光层（420）、金属层Ⅱ（820）实现电气连接；还包括金属层Ⅲ（830），所述金属层Ⅲ（830）位于硅基本体（110）的背面的绝缘层Ⅱ（520 ）的表面且位于金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）之间，所述金属层Ⅲ（830）与金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）均不连接。