[实用新型]一种晶体硅太阳电池的电极有效

专利信息
申请号: 201320847319.9 申请日: 2013-12-21
公开(公告)号: CN203659885U 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 黄海宾;周浪 申请(专利权)人: 南昌大学
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 刘凌峰
地址: 330000 江西省*** 国省代码: 江西;36
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种晶体硅太阳电池的电极,包括前表面细栅线、前表面主栅线、背表面主栅线、背表面细栅线和背铝层,其中,所述前表面主栅线与前表面细栅线相互垂直,所述背铝层在电极背表面为全表面覆盖;所述前表面主栅线与背表面主栅线相互平行排布,所述前表面细栅线与背表面细栅线相互平行排布;所述电极前表面主栅线和背表面主栅线的厚度均为0.5-12.0微米,宽度均为0.5-1.2毫米;所述背铝层的厚度为0.2-20微米。本实用新型电极可节省大量银浆,并能有效减少次品和废品率。
搜索关键词: 一种 晶体 太阳电池 电极
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池的电极,包括前表面细栅线、前表面主栅线、背表面主栅线和背铝层,其特征在于:所述前表面主栅线与前表面细栅线相互垂直,所述背铝层在电极背表面为全表面覆盖;所述前表面主栅线与背表面主栅线相互平行排布;所述电极前表面主栅线和背表面主栅线的厚度均为0.5-12.0微米,宽度均为0.5-1.5毫米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌大学,未经南昌大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201320847319.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top