[实用新型]半导体晶片蚀刻辅助装置有效
申请号: | 201320849382.6 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN203631484U | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 崔相玉 | 申请(专利权)人: | 徐州同鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/20 |
代理公司: | 徐州支点知识产权代理事务所(普通合伙) 32244 | 代理人: | 刘新合 |
地址: | 221000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体晶片蚀刻辅助装置,包括下盘(2)和设置在下盘(2)上的多个晶片放置凹孔(1);还包括在所述下盘(2)上的多个晶片放置凹孔(1)的底部边缘开设的防移动卡槽(40),以及用于固定晶片(3)的盖状装置(4);所述盖状装置(4)的上表面直径小于所述盖状装置(4)主体的直径,并在所述盖状装置(4)的上表面边缘处开设有拆分凹槽(44),在所述盖状装置(4)的底部边缘处安装有密封部(41),在所述盖状装置(4)上开设有多个导气孔(43)。本半导体晶片蚀刻辅助装置在保证晶片蚀刻稳定性和密封性的同时,显著缩短了对晶片进行蚀刻的作业时间,有效提高作业效率和产品合格率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 蚀刻 辅助 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体晶片蚀刻辅助装置,包括下盘(2)和设置在下盘(2)上的多个晶片放置凹孔(1);其特征在于,还包括在所述下盘(2)上的多个晶片放置凹孔(1)的底部边缘开设的防移动卡槽(40),以及用于固定晶片(3)的盖状装置(4);所述盖状装置(4)的上表面直径小于所述盖状装置(4)主体的直径,并在所述盖状装置(4)的上表面边缘处开设有拆分凹槽(44),在所述盖状装置(4)的底部边缘处安装有密封部(41),在所述盖状装置(4)上开设有多个导气孔(43)。
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