[实用新型]一种旋转喷淋湿法蚀刻装置有效
| 申请号： | 201320857684.8 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN203661002U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 霍俊标;刘绍侃;张雪奎 | 申请（专利权）人： | 深圳华远微电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518125 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种旋转喷淋湿法蚀刻装置，其包括：用于将晶片传送入喷淋工位的传送带、用于旋转晶片的旋转装置、设置在晶片上方的上部喷头和设置在晶片下方的下部喷头。通过传送带将晶片传送至喷淋工位，上部喷头和下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片旋转。从而能够改善声表面谐振器晶片指条宽度的均匀性和指条边缘线条的平整，提高芯片的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 旋转 喷淋 湿法 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
一种旋转喷淋湿法蚀刻装置，其特征在于，包括：用于将晶片传送入喷淋工位的传送带；用于旋转晶片的旋转装置；设置在晶片上方的上部喷头；设置在晶片下方的下部喷头；传送带将晶片传送至喷淋工位，上部喷头和下部喷头将药液成雾状喷淋到晶片表面，同时旋转装置带动晶片旋转。
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