[实用新型]各向异性磁阻传感器垂直结构有效
| 申请号： | 201320863100.8 | 申请日： | 2013-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN203617345U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;季锋;刘琛;饶晓俊 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R33/09 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且该第二绝缘层在该磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于第二绝缘层上并通过该通孔与磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖该置位复位金属布线层和第二绝缘层。本实用新型的各向异性磁阻传感器结构简单，并且其形成方法和微电子工艺的匹配性很好，适合大批量工业化生产，有利于提高产品的可靠性，具有广泛的应用性。 | ||
| 搜索关键词： | 各向异性 磁阻 传感器 垂直 结构 | ||
【主权项】：
一种各向异性磁阻传感器垂直结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖所述半导体衬底；一个或多个磁性电阻金属条，位于所述第一绝缘层上；接触金属层，位于所述磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于所述接触金属层上；第二绝缘层，覆盖所述磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且所述第二绝缘层在所述磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于所述第二绝缘层上并通过所述通孔与所述磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖所述置位复位金属布线层和第二绝缘层。
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