[实用新型]发光二极管封装结构有效
| 申请号： | 201320876798.7 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203774369U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈燕章 | 申请（专利权）人： | 深圳市力维登光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/52 | 分类号： | H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司： | 深圳市中联专利代理有限公司 44274 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管封装结构，包括：金属基板、LED芯片及金属导线，所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部设置有锡金合金层，所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，所述LED芯片设置在所述锡金合金层上，所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接，所述锡金合金层的厚度为0.25～0.3mm。本实用新型是一种使用寿命长、减少成本、提高封装效率的发光二极管封装结构。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其特征在于，包括：金属基板、LED芯片及金属导线，所述金属基板上开设用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部设置有锡金合金层，所述金属基板的上表面依次成型有第一导热绝缘层、导线层及第二导热绝缘层，所述LED芯片设置在所述锡金合金层上，所述金属导线一端与所述LED芯片电性连接，另一端穿过所述第二导热绝缘层与所述导线层电性连接，所述锡金合金层的厚度为0.25～0.3mm。
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