[实用新型]一种新型GaN基LED结构有效
| 申请号： | 201320881509.2 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203733827U | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 杨晓杰;李晓东 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种新型GaN基LED结构，包括高温掺杂Mg的p型GaN层，和掺杂Si的n型GaN层，所述掺杂Si的n型GaN层在所述高温掺杂Mg的p型GaN层之上，还包括高掺杂Mg的p+-GaN层，和高掺杂Si的n+型GaN层，高温生长p型GaN外延层可以显著提高其晶体质量及其中Mg的活化率以及空穴浓度和迁移率，避免了在量子阱(MQW)有源区上高温生长p型GaN外延层对量子阱的破坏；在n+-GaN层中的Si原子可以有效地抑制GaN外延层的点缺陷的形成和发光淬灭现象，p+-GaN层有助于提高空穴电流的注入效率并降低工作电流,可以同时提高晶体质量和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 gan led 结构 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED结构，包括高温掺杂Mg的p型GaN层，和掺杂Si的n型GaN层，其特征在于，所述掺杂Si的n型GaN层在所述高温掺杂Mg的p型GaN层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矩阵光电有限公司，未经苏州矩阵光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320881509.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：波长转换装置和发光装置
- 下一篇：一种太阳能光伏组件
