[实用新型]一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构有效
| 申请号： | 201320884857.5 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203644823U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 范春晖;左青云 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构，包括衬底、位于衬底上的下电极、位于下电极上的阻变层，以及位于阻变层上的上电极；该阻变层具有多个不同厚度的梯度层面，这些梯度层面的材料相同。本实用新型可以实现单一存储单元的多值存储，从而提高存储器的存储密度，降低成本；另外，由于仅仅是对阻变层的厚度作了改进，没有采用新的材料，和传统的阻变存储器加工工艺兼容，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 存储 rram 单元 结构 | ||
【主权项】：
一种可实现多位存储的RRAM存储单元结构，包括：衬底、位于所述衬底上的下电极，位于所述下电极上的阻变层，以及位于所述阻变层上的上电极；其特征在于，所述阻变层具有多个不同厚度的梯度层面，且所述梯度层面的材料相同。
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