[实用新型]一种支持低功耗的快速启动的单片机控制电路有效

专利信息
申请号: 201320885375.1 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN203759468U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 施江肖;叶良朋;胡杭军 申请(专利权)人: 浙江志展智能科技有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 吴秉中
地址: 310027 浙江省杭州市西*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型公开了一种支持低功耗的快速启动的单片机控制电路,包括低功耗MCU、MOS管Q2和MOS管Q4,所述低功耗MCU具有VVD电源端、VSS接地端、第一I/O引脚和第二I/O引脚,电池电压Vbat端经电阻R5、按键KEY4和第一I/O引脚相连,MOS管Q2的S极与电池电压Vbat端相连,D极经电阻R6和VVD电源端相连,G极和MOS管Q4的D极相连,MOS管Q4的S极接地,G极和第一I/O引脚相连。本实用新型的支持低功耗的快速启动的单片机控制电路加快了单片机的启动时间,单片机的启动电路更加灵活,任意按键都能促发单片机电源启动,减少外部元件的启动时间。
搜索关键词: 一种 支持 功耗 快速 启动 单片机 控制电路
【主权项】:
一种支持低功耗的快速启动的单片机控制电路,包括低功耗MCU、MOS管Q2和MOS管Q4,所述低功耗MCU具有VVD电源端(1)、VSS接地端(2)、第一I/O引脚(3)和第二I/O引脚(4),其特征在于:电池电压Vbat端经电阻R5、按键KEY4和第一I/O引脚(3)相连, MOS管Q2的S极与电池电压Vbat端相连,D极经电阻R6和VVD电源端(1)相连,G极和MOS管Q4的D极相连,MOS管Q4的S极接地,G极和第一I/O引脚(3)相连。
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