[实用新型]一种磁电阻成像传感器阵列有效

专利信息
申请号: 201320889665.3 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN203759230U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 马克·C·仝大;薛松生;詹姆斯·G·迪克;金英西;沈卫锋 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 孙仿卫;项丽
地址: 215634 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一个以磁场感应为基础的磁电阻成像传感器阵列。此磁电阻成像传感器阵列包括传感元件阵列和应用集成电路,还包括为传感元件阵列提供电源的电路,磁电阻感应元件阵列选择电路,信号放大电路,数字化,存储和微处理器。此外,所述传感元件阵列包括至少一个磁电阻传感元件。本实用新型通过优化应用集成电路和传感元件阵列的排布方式和使用可以减小媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离的电连接技术,减小了媒介成像传感器阵列和媒介之间的距离,从而提高了现有的媒介成像传感器的分辨率。
搜索关键词: 一种 磁电 成像 传感器 阵列
【主权项】:
一种磁电阻成像传感器阵列,用于从载有磁印记的媒介上读取图像, 其特征在于,包括一电子子装件,所述电子子装件包括a)至少一个传感元件阵列,并且所述传感元件阵列包括至少一个磁电阻传感元件;b)至少一个传感元件阵列基片,每一个传感元件阵列位于一个传感元件阵列基片的顶面上,每一个所述的传感元件阵列基片还有一底面;c)一个感应平面,该感应平面穿过所述传感元件阵列的几何中心并平行于所述传感元件阵列基片的顶面;d)一个系统电路网络,该系统电路网络包括一个或多个与所述传感元件阵列电子连接的应用集成电路;在向所述的媒介的方向,电子子装件有一平行于所述感应平面的最大延伸平面,所述感应平面与所述最大延伸平面之间形成最大延伸距离,通过使用减小所述最大延伸距离的所述集成电路和所述传感元件阵列基片的位置的排布和电连接,使所述最大延伸距离≤150µm。
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