[实用新型]高可靠性发光二极管支架有效
申请号: | 201320890791.0 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN203721761U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 程志坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市斯迈得光电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/56 |
代理公司: | 深圳市弘拓知识产权代理事务所(普通合伙) 44320 | 代理人: | 彭年才 |
地址: | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提出一种高可靠性发光二极管支架,其包括引线框架和设于引线框架上的基座,所述引线框架和基座限定一个反射凹腔,引线框架包括正电极框架和负电极框架,正负电极框架之间具有间隙,正负电极框架上具有与间隙相通的沟槽,间隙和沟槽内填充有绝缘部件,沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分,基座是热硬化性树脂基座,绝缘部件是热硬化性树脂层。该发光二极管支架中,通过设有一个沟槽,增加外界水分、氧气、杂质进入支架内部的难度。而且,沟槽的槽底面具有经过化学腐蚀处理的粗糙部分,增加结合力并提高密封性能,提升支架的可靠性和使用寿命。基座和绝缘部件是由热硬化性树脂制成,具有更好的散热能力。 | ||
搜索关键词: | 可靠性 发光二极管 支架 | ||
【主权项】:
一种高可靠性发光二极管支架,其包括引线框架和设于引线框架上的基座,所述引线框架和基座限定一个反射凹腔,所述引线框架包括正电极框架和负电极框架,其特征在于,所述正电极框架和负电极框架之间具有间隙,所述正电极框架和负电极框架上具有与间隙相通的沟槽,所述间隙和沟槽内填充有绝缘部件,所述沟槽的槽底面具有沿着槽长方向延伸且经过化学腐蚀处理的粗糙部分,所述基座是热硬化性树脂基座,所述绝缘部件是热硬化性树脂层。
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