[实用新型]一种薄膜封装系统有效
申请号: | 201320892034.7 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN203659835U | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 刘杰;刘键;冷兴龙;屈芙蓉;李超波;夏洋 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L51/56 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种薄膜封装系统,包括工艺气体输入部分、沉积腔室、ICP等离子体电源和基片台,所述工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分,所述基片台设置在沉积腔室内。该系统同时具有PECVD气路输入部分和ALD气路输入部分,使本实用新型兼具PECVD设备可快速沉积的优势以及ALD设备可沉积高质量薄膜的优势,实现了快速沉积较高质量的薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 封装 系统 | ||
【主权项】:
一种薄膜封装系统,其特征在于:包括工艺气体输入部分、沉积腔室(9)、ICP等离子体电源(5)和基片台(6),所述工艺气体输入部分包括分别与沉积腔室(9)连接的PECVD工艺气体输入部分和ALD工艺气体输入部分,所述基片台(6)设置在沉积腔室(9)内,所述ICP等离子体电源(5)设置在沉积腔室(9)顶部。
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