[实用新型]一种抗单粒子效应的电流镜有效
| 申请号： | 201320894188.X | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN203719714U | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐江涛;贾文龙;高静;史再峰;姚素英 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01F3/26 | 分类号： | G01F3/26 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 杜文茹 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种抗单粒子效应的电流镜，包括有第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其中，所述的第一NMOS管M1的栅极和第二NMOS管M2的栅极相连，第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的源极接地，第一NMOS管M1的漏极连接所述该第一NMOS管M1的栅极以及连接基准电流Iref，所述的第二NMOS管M2的漏极分别连接负载和用于消除单粒子效应对负载影响的辅助电路。本实用新型可以消除单粒子效应对电流镜中流过负载的电流的影响，使电路达到抗单粒子效应，因而可以应用于太空等辐射条件下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 效应 电流 | ||
【主权项】：
一种抗单粒子效应的电流镜，包括有第一NMOS管M1和第二NMOS管M2，其中，所述的第一NMOS管M1的栅极和第二NMOS管M2的栅极相连，第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的源极接地，第一NMOS管M1的漏极连接所述该第一NMOS管M1的栅极以及连接基准电流Iref，其特征在于，所述的第二NMOS管M2的漏极分别连接负载（C）和用于消除单粒子效应对负载（C）影响的辅助电路（B）。
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