[发明专利]铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板的制造方法有效
申请号: | 201380000897.1 | 申请日: | 2013-03-04 |
公开(公告)号: | CN103781941A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 栗井雅代;田井清登;中村真美 | 申请(专利权)人: | MEC股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;H05K3/38 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周善来;李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供微蚀刻剂及其补给液、以及使用微蚀刻剂的配线基板的制造方法。本发明之微蚀刻剂为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。本发明之微蚀刻剂在将含有胺基之化合物的浓度设为A重量%,聚合物的浓度设为B重量%时,A/B的值为50~6000。依据本发明,即便是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 及其 补充 以及 配线基板 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种微蚀刻剂,其为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成之铜微蚀刻剂,其中所述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物,且在将所述含有胺基之化合物的浓度设为A重量%,所述聚合物的浓度设为B重量%时,A/B值为50~6000。
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