[发明专利]氮化物半导体发光装置无效
| 申请号： | 201380001192.1 | 申请日： | 2013-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN103503182A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 井上彰;藤金正树;横川俊哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体发光装置，其具备：具有射出偏振光且以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和使来自所述有源层的光透过的透光性罩，所述透光性罩具有：在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向的第一透光性部件；和配置在所述氮化物半导体发光芯片的上方的区域的第二透光性部件，所述第一透光性部件中的光的扩散透过率比所述第二透光性部件中的光的扩散透过率高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光装置，其特征在于，包括：具有射出偏振光，以非极性面或半极性面为生长面的有源层的氮化物半导体发光芯片；和使来自所述有源层的光透过的透光性罩，所述透光性罩具有：在所述氮化物半导体发光芯片的侧面的区域之中、配置在与所述偏振光的偏振方向垂直的方向的第一透光性部件；和配置在所述氮化物半导体发光芯片的上方的区域的第二透光性部件，所述第一透光性部件中的光的扩散透过率比所述第二透光性部件中的光的扩散透过率高。
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