[发明专利]锂二次电池用负极及其制造方法在审
| 申请号： | 201380002456.5 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103718347A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 伊豆原浩一;大福诚;宫田康史 | 申请（专利权）人： | 株式会社三五;名古屋市 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/66 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于实现充放电容量大、反复充放电而造成的容量降低小的锂二次电池的新结构的负极。一种锂二次电池用负极，其由集电体基板，碳纳米片体层和硅薄膜层构成，该碳纳米片体层由从该集电体基板面独立的在不规则的方向倾斜而生长的石墨烯片形成，该硅薄膜层形成在该碳纳米片体层上，在硅薄膜层和集电体基板面之间形成有碳纳米片体间的空隙。对于构成碳纳米片体层的石墨的拉曼光谱，g/d在0.30～0.80的范围，其结晶度低于碳纳米壁的石墨。该碳纳米片体层例如能够将甲烷-氢的混合气体作为原料通过等离子体CVD法而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 电池 负极 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锂二次电池用负极，其特征在于该锂二次电池用负极由集电体基板、碳纳米片体层和硅薄膜层构成，该碳纳米片体层由从该集电体基板面独立的在不规则的方向倾斜生长的石墨烯片形成，该硅薄膜层形成在该碳纳米片体层上，在硅薄膜层和集电体基板面之间形成有碳纳米片体间的空隙。
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