[发明专利]相移掩模坯料、相移掩模及其制造方法在审
| 申请号： | 201380002495.5 | 申请日： | 2013-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN104471478A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 影山景弘;中村大介 | 申请（专利权）人： | 爱发科成膜株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/29 | 分类号： | G03F1/29;G03F1/26;G03F1/80 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于大批量制造边缘增强型的相移掩模的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料（MB）具有：玻璃基板（S）；形成在玻璃基板表面上的、主要成分为Cr的相移层（11）；以从玻璃基板朝向相移层的方向为上，在相移层上形成的、以从Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及Hf中选出的至少一种的金属为主要成分的蚀刻阻挡层（12）；以及在蚀刻阻挡层上形成的、主要成分为Cr的遮光层（13）。 | ||
| 搜索关键词： | 相移 坯料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种相移掩模坯料，其特征在于具有：透明基板；形成在透明基板表面上的、主要成分为Cr的相移层；以从透明基板朝向相移层的方向为上，在相移层上形成的、以从Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及Hf中选出的至少一种金属为主要成分的蚀刻阻挡层；以及在蚀刻阻挡层上形成的、主要成分为Cr的遮光层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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