[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380002517.8 | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN103828044A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 原园文一 | 申请（专利权）人： | 微型模块科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现半导体器件进一步的小型化。提供一种半导体器件（10），其具备：设置于基板（18）上的开关元件（FET14）；第一电极（电极13），其与所述基板（18）夹着所述开关元件地设置在所述基板（18）的相反侧；二极管（12），其与所述开关元件夹着所述第一电极地设置在所述开关元件的相反侧；和第二电极（电极11），其与所述第一电极夹着所述二极管（12）地设置在所述第一电极的相反侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：设置于基板上的FET（Field effect transistor，场效应管）；第一电极，其与所述基板夹着所述FET地设置在所述FET的与所述基板的相反侧；二极管，其与所述FET夹着所述第一电极地设置在所述第一电极的与所述FET的相反侧；和第二电极，其与所述第一电极夹着所述二极管地设置在所述二极管的与所述第一电极的相反侧，其中，所述FET形成为板状，在一个面设置有源极和栅极，在另一个面设置有漏极，所述源极与所述基板上的第一布线图案连接，所述栅极与所述基板上的第二布线图案连接，所述漏极与所述第一电极连接，所述第一电极的脚部与所述基板上的不同于所述第一布线图案及所述第二布线图案的布线图案相连接，所述二极管形成为板状，在一个面设置有阳极，在另一个面设置有阴极，所述阴极与所述第一电极连接；所述阳极与所述第二电极连接；所述第二电极的脚部与所述第一布线图案相连接，所述第一电极的脚部与所述第二电极的脚部隔着所述FET相对。
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