[发明专利]半导体发光装置和照明装置无效
| 申请号： | 201380003218.6 | 申请日： | 2013-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN103843163A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 作田宽明;小原悠辉 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;F21V9/08;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供不仅实现了发光效率的提高而且实现了演色性的提高的半导体发光装置。本发明的半导体发光装置具备吸收430nm以下的短波长光且透射波长比430nm长的光的截止滤光片，在半导体发光装置射出的光的光谱中，来自上述半导体发光元件的放出光的发光峰强度相对于该光谱的最大强度为50%以下，从而能够解决上述课题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 照明 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，是具备半导体发光元件和波长转换层的半导体发光装置，所述半导体发光元件放出在390nm～430nm具有发光峰的光，所述波长转换层包含将所述半导体发光元件放出的光作为激发源而发光的荧光体，所述半导体发光装置是具备截止滤光片并且通过该截止滤光片射出光的半导体发光装置，所述截止滤光片吸收430nm以下的短波长光并透射比430nm长的波长的光，在半导体发光装置射出的光的光谱中，来自所述半导体发光元件的放出光的发光峰强度相对于该光谱的最大强度为50%以下。
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