[发明专利]铜微蚀刻剂及其补充液、以及电路板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380003526.9 申请日: 2013-06-25
公开(公告)号: CN103890233A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 栗井雅代;田井清登;中村真美;荻野悠贵 申请(专利权)人: MEC股份有限公司
主分类号: C23F1/18 分类号: C23F1/18;H01L21/308;H05K3/38
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 周善来;李雪春
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用所述铜微蚀刻剂的电路板的制造方法。铜微蚀刻剂由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成。所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物。本发明的铜微蚀刻剂,当以所述卤化物离子的浓度作为A重量%,以所述聚合物的浓度作为B重量%,以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时,优选为A/B的值为2000~9000,且A/D的值为500~9000。通过使用所述蚀刻剂,即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等的粘着性。
搜索关键词: 蚀刻 及其 补充 以及 电路板 制造 方法
【主权项】:
一种铜微蚀刻剂,由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性表面活性剂的水溶液构成,所述聚合物为具有多胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上的水溶性聚合物,以所述卤化物离子的浓度作为A重量%、以所述聚合物的浓度作为B重量%、以所述非离子性表面活性剂的浓度作为D重量%时,A/B的值为2000~9000,且A/D的值为500~9000。
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