[发明专利]树脂封装型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的树脂封装型半导体装置10具有台面型半导体元件100和铸模用树脂40，台面型半导体元件100包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖外围锥形区域的玻璃层，铸模用树脂40用于封装台面型半导体元件100，玻璃层是在形成了覆盖外围锥形区域的由实质上不含有铅的预定的半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对由该半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的。本发明的树脂封装型半导体装置虽与以往的树脂封装型半导体装置同样也具有将台面型半导体元件用树脂铸模而成的结构，但还是一种具有比以往的树脂封装型半导体装置更高的高温反向偏压耐量的树脂封装型半导体装置。

主权项

一种树脂封装型半导体装置，具有台面型半导体元件和铸模用树脂，所述台面型半导体元件包括在包围台面区域的外围锥形区域具有PN结露出部的台面型半导体基体以及至少覆盖所述外围锥形区域的玻璃层，所述铸模用树脂用于封装所述台面型半导体元件，所述玻璃层是在形成了覆盖所述外围锥形区域的由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层后，通过对该由半导体接合保护用玻璃复合物构成的层进行烧制而形成的，其特征在于：其中，所述半导体接合保护用玻璃复合物由一种玻璃微粒构成，该玻璃微粒是通过将一种原料熔融而获得的熔液制造而成，所述原料以下述的含量至少含有SiO₂，Al₂O₃，B₂O₃，ZnO，以及含有CaO、BaO和MgO中的至少两种碱土金属氧化物，且实质上不含有Pb，As，Sb，Li，Na，K，并且，所述原料不将所述原料中的任何一种成分作为填充物含有，SiO₂的含量：49.5mol%～64.3mol%，Al₂O₃的含量：3.7mol%～14.8mol%，B₂O₃的含量：8.4mol%～17.9mol%，ZnO的含量：3.9mol%～14.2mol%，碱土金属氧化物的含量：7.4mol%～12.9mol%。