[发明专利]低硅沸石的中孔隙率的引入无效
| 申请号： | 201380003810.6 | 申请日： | 2013-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN103930369A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 李坤浩;哈维尔·加西亚-马丁内斯;迈克尔·G·比弗 | 申请（专利权）人： | 瑞弗科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B39/02 | 分类号： | C01B39/02;C01B33/12;B01J35/10 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;安佳宁 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： |
本文公开了中孔X沸石和中孔A沸石及其制备方法。这类中孔沸石可以通过使原始沸石与酸和成中孔剂接触来制备。原始沸石的骨架硅比铝含量可以为约1至约2.5。另外，这类中孔沸石的直径为 |
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| 搜索关键词： | 低硅沸石 孔隙率 引入 | ||
【主权项】：
形成包含中孔沸石的材料的方法，所述方法包括：(a)使原始沸石与成中孔剂接触，由此形成包含所述原始沸石和所述成中孔剂的第一处理混合物；并且(b)在所述第一处理混合物中引入酸，由此形成包含所述中孔沸石、所述成中孔剂和所述酸的第二处理混合物，其中所述原始沸石的骨架硅与铝的比(“Si/Al”)为约1至约2.5。
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