[发明专利]制造半导体发光器件的方法

摘要

本公开涉及一种制造半导体发光元件的方法，该方法包括：形成要与第二半导体层电连通的分支电极；以及在该分支电极上形成由多个电介质膜构成的不导电反射膜，以从有源层向在生长衬底侧的第一半导体层反射光，其包括通过化学气相沉积形成底层，以及通过物理气相沉积形成至少两个层，其中，该底层的厚度比底层上方层压的所述至少两个层中的每个的厚度厚；以及形成电连接件，该电连接件贯穿该不导电反射膜并且与该分支电极电连接。

主权项

一种制造半导体发光器件的方法，该方法包括以下步骤：制备在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的、经由电子‑空穴复合产生光的有源层，其中所述第一半导体层通过刻蚀而部分露出；在具有在刻蚀期间形成的台阶的所述多个半导体层上形成由多层电介质膜组成的不导电反射膜，以从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，其中，所述不导电反射膜被形成为，使得通过化学气相沉积获得的底层具有比通过不同于所述化学气相沉积的沉积获得的要沉积在所述底层上的两个或更多个层中的每个的厚度大的厚度，其中所述台阶通过化学气相沉积被所述底层覆盖；以及形成电连接件，所述电连接件穿过所述不导电反射膜。