[发明专利]用于处理基板的方法和设备有效
| 申请号： | 201380004591.3 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104025280B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 马修·罗杰斯;马丁·里普利 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中，一种处理设置于处理腔室中的基板的方法包括：在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧；在所述基板上执行所述处理期间，经由一个或更多个通孔提供第一气体至所述基板的背侧，所述第一气体包括含氧气体或含氮气体之一，所述通孔设置于所述反射板中；以及将所述处理腔室维持在第一压力和第二压力下，所述第一压力接近所述基板的顶表面且所述第二压力接近所述基板的底表面，其中所述第一压力大于所述第二压力，而足以在处理期间防止所述基板从所述基板支撑环移位。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种处理设置于处理腔室中的基板的方法，所述方法包括：在基板上执行处理，所述基板设置于处理腔室中，所述处理腔室具有基板支撑环和反射板，所述基板支撑环配置成支撑所述基板，所述反射板设置成接近所述基板的背侧；在所述基板上执行所述处理期间，经由一个或更多个通孔提供第一气体至所述基板的背侧，所述第一气体包括含氧气体或含氮气体之一，所述通孔设置于所述反射板中；提供所述第一气体至所述基板的前侧，且在同一时间提供所述第一气体至所述基板的所述背侧；以及将所述处理腔室维持在第一压力和第二压力下，所述第一压力接近所述基板的顶表面且所述第二压力接近所述基板的背侧，其中所述第一压力大于所述第二压力而足以在处理期间防止所述基板从所述基板支撑环移位。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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