[发明专利]在基板上沉积III‑V族层的方法

摘要

本文公开了用于将III‑V族层沉积于基板上的方法。在某些实施例中，一种方法包括下列步骤在范围自约300摄氏度至约400摄氏度的第一温度下，将第一层沉积在含硅表面上，该第一层包含第一III族元素或第一V族元素中的至少一者，该含硅表面定向于<111>晶向；和在范围自约300摄氏度至约600摄氏度的第二温度下，将第二层沉积在该第一层顶部，该第二层包含第二III族元素和第二V族元素。

主权项

一种将III‑V族层沉积在基板上的方法，所述方法包括下列步骤：蚀刻含硅基板，所述含硅基板具有定向于<111>晶向以外的晶向的表面，以在所述含硅基板中蚀刻出源极/漏极区域；在蚀刻出的所述源极/漏极区域中，在定向于所述<111>晶向以外的晶向的表面顶部上生长定向于所述<111>晶向的含硅表面；在范围自300摄氏度至400摄氏度的第一温度下，将第一层沉积在定向于所述<111>晶向的所述含硅表面上，所述第一层包含第一III族元素或第一V族元素中的至少一者；和在范围自300摄氏度至600摄氏度的第二温度下，将第二层沉积于所述第一层顶部，所述第二层包含第二III族元素和第二V族元素。