[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶及半导体装置有效
| 申请号： | 201380005328.6 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN104040039A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;今出完;吉村政志;平尾美帆子;今西正幸 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学 |
| 主分类号： | C30B19/02 | 分类号： | C30B19/02;C30B29/38;H01L21/208 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 钟守期;苏萌 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
III族氮化物结晶的制造方法，其包括：晶种选择步骤，选择预先准备的III族氮化物的多个部分，作为用于III族氮化物结晶的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，而生成所述III族氮化物结晶并生长；所述III族氮化物结晶的制造方法的特征在于：所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式，配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过所述III族氮化物结晶的生长，使由所述多个晶种生长的多个所述III族氮化物结晶结合。
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