[发明专利]用于微电子和光电子器件及其组件的热氧化稳定的、侧链聚醚官能化的聚降冰片烯

摘要

本发明涉及一种聚降冰片烯(PNB)组合物实施方案，其对于形成微电子和/或光电子器件及其组件是有用的，本发明更具体涉及一种包含具有降冰片烯型重复单元的PNB的组合物，该降冰片烯型重复单元是聚醚官能化的，其中，该组合物以及由其形成的微电子和/或光电子器件的该PNB可抵抗所述聚醚官能的热氧化性的链降解。

主权项

一种微电子或者光电子器件，其包含重新分配层(RDL)结构、芯片堆栈结构、CMOS图像传感器坝结构中的一种或多种，其中，所述结构进一步包含正型可自成像的组合物，其含有具有衍生自根据式A的降冰片烯型单体的重复单元的热氧化稳定化的聚合物、以及包含一种或多种酚类抗氧化剂和一种或多种二芳基胺增效剂的复合添加剂，其中s选自0至3，t为2，u是1至3中的整数以及R5选自甲基、乙基、正丙基或者异丙基，所述一种或多种酚类抗氧化剂选自：2,2’‑((2‑羟基‑5‑甲基‑1,3‑亚苯基)二(亚甲基))二(4‑甲基酚)，6,6’‑亚甲基二(2‑(2‑羟基‑5‑甲基苄基)‑4‑甲基酚)、6,6’‑(2‑羟基‑5‑甲基‑1,3‑亚苯基)二(亚甲基)二(2‑(2‑羟基‑5‑甲基苄基)‑4‑甲基酚)、6,6’‑亚甲基二(2‑(2‑羟基‑3,5‑二甲基苄基)‑4‑甲基酚)和6,6’‑(2‑羟基‑5‑甲基‑1,3‑亚苯基)二(亚甲基)二(2,4‑二甲基酚)；所述一种或多种二芳基胺增效剂选自：N,N’‑二‑2‑萘基‑对亚苯基二胺、二(4‑(叔丁基)苯基)胺、二(4‑(2‑苯基丙‑2‑基)苯基)胺、双(4‑(2,4,4‑三甲基戊烷‑2‑基)苯基)胺和二(4‑(2,4,4‑三甲基戊基)苯基)胺；且其中所述抗氧化剂和胺增效剂中的每个以每一百份所述聚合物为3－10份的量存在。